상세정보
학술지
Mechanisms of the Device Property Alteration Generated by the Proton Irradiation in GaN-Based MIS-HEMTs Using Extremely Thin Gate Insulator
- 발행일
- 202303
- 출처
- Nanomaterials, v.13 no.5, pp.1-13
- ISSN
- 2079-4991
- 출판사
- MDPI
- 협약과제
- 22JU1200, 질화갈륨 반도체를 사용한 위성통신용 내방사선 송수신 MMIC 국산화 기술 개발, 장성재
- KSP 제안 키워드
- GaN-Based, Gate insulator, Proton Irradiation
본 저작물은 크리에이티브 커먼즈 저작자 표시 (CC BY) 조건에 따라 이용할 수 있습니다.
