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Journal Article
5G FR2 밴드 기지국용 GaN 평형 전력증폭기 MMIC
- Issue Date
- 2023-06
- Citation
- 한국전자파학회 논문지, v.34, no.6, pp.444-449
- ISSN
- 1226-3133
- Publisher
- 한국전자파학회
- Language
- Korean
- Type
- Journal Article
- Abstract
- 본 논문에서는 5G FR2 밴드용 기지국 시스템을 구현하는 필수 구성품인 전력증폭기를 구현하였다. 5G 기지국에 사용가능하도록 전력밀도가 높고, 주파수 특성이 우수한 대만의 Win-Semiconductor사의 게이트 길이 0.15 ㎛ GaN on SiC HEMT 공정인 NP15를 사용하여 설계 검증하였으며, 제작된 전력증폭기 집적회로는 입․출력 반사특성을 좋게 하기 위하여 Lange coupler를 사용한 평형증폭기 형태로 구성되었다. 측정 결과, 주파수 특성 27 ㎓∼29 ㎓ 내에서 소신호 이득 18 ㏈, 출력전력 9 watts, 전력부가효율 25 %, 사이즈는 3.6×3.0 ㎟가 관찰되었다.
- KSP Keywords
- GaN on SiC
This work is distributed under the term of Creative Commons License (CCL)
(CC BY NC)
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