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학술대회 Novel T-Shaped Gate Structure of AlGaN/GaN HEMTs on Si for RF Application
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저자
정현욱, 최일규, 장성재, 정현석, 최수민, 안호균, 강동민, 김대현, 임종원
발행일
202310
출처
The Electrochemical Society (ECS) Meeting 2023, pp.1-1
협약과제
23JH1500, 질화갈륨 반도체를 사용한 위성통신용 내방사선 송수신 MMIC 국산화 기술 개발, 장성재
KSP 제안 키워드
AlGaN/GaN HEMTs, RF application, T-shaped gate