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학술대회 Impact of Parasitic Gate Capacitance on RF Performance in GaN-based HEMTs for X-band Applications
Cited - time in scopus Download 0 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
장성재, 정현석, 정현욱, 최수민, 최일규, 노윤섭, 김성일, 이상흥, 안호균, 강동민, 김대현, 임종원
발행일
202310
출처
The Electrochemical Society (ECS) Meeting 2023, pp.1-1
협약과제
23JH1500, 질화갈륨 반도체를 사용한 위성통신용 내방사선 송수신 MMIC 국산화 기술 개발, 장성재
KSP 제안 키워드
GaN-Based, Gate capacitance, RF performance, X-band applications