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학술지 Improved frequency performance in AlGaN/GaN HEMTs on Si using hydrogen silsesquioxane-assisted gate

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저자: 정현욱, 최일규, 김도현, 정현석, 최수민, 장성재, 안호균, 임종원, 강동민, 김대현, 원상민

발행일: 202402

출처: Materials Science in Semiconductor Processing, v.170, pp.1-5

ISSN: 1369-8001

출판사: Elsevier Ltd.

DOI: https://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107985

협약과제: 22FU1100, 초고주파 대역용 3D TIV 집적화 공정 및 적층형 InP/GaN 소자 기술 개발, 안호균

KSP 제안 키워드: AlGaN/GaN HEMTs, Hydrogen Silsesquioxane

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