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학술지 Improved frequency performance in AlGaN/GaN HEMTs on Si using hydrogen silsesquioxane-assisted gate
Cited - time in scopus Download 10 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
정현욱, 최일규, 김도현, 정현석, 최수민, 장성재, 안호균, 임종원, 강동민, 김대현, 원상민
발행일
202402
출처
Materials Science in Semiconductor Processing, v.170, pp.1-5
ISSN
1369-8001
출판사
Elsevier Ltd.
DOI
https://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107985
협약과제
22FU1100, 초고주파 대역용 3D TIV 집적화 공정 및 적층형 InP/GaN 소자 기술 개발, 안호균
KSP 제안 키워드
AlGaN/GaN HEMTs, Hydrogen Silsesquioxane