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학술지 Ferroelectric Hafnia-Based M3D FeTFTs Annealed at Extremely Low Temperatures and TCAM Cells for Computing-in-Memory Applications
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저자
조홍래, 남수지, 정민현, 신훈범, 조성행, 전상훈
발행일
202311
출처
ACS Applied Materials & Interfaces, v.15 no.44, pp.51339-51349
ISSN
1944-8244
출판사
American Chemical Society
DOI
https://dx.doi.org/10.1021/acsami.3c10597
협약과제
23IC2300, M3D 산화물반도체 기반 초저소비전력 고대역 대용량 DRAM 개발, 조성행
KSP 제안 키워드
Low temperature(LT), Memory applications, in-memory