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학술대회 High-Performance p-type Thin Film Transistor Using Room Temperature Deposited Se-Te Alloying Channel Layer
Cited - time in scopus Download 7 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
최경희, 남수지, 오힘찬, 나제호, 성치훈, 조성행
발행일
202403
출처
International Thin-Film Transistor Conference (ITC) 2024, pp.1-1
협약과제
23IC2300, M3D 산화물반도체 기반 초저소비전력 고대역 대용량 DRAM 개발, 조성행
KSP 제안 키워드
Channel layer, High performance, Room-temperature, Thin-Film Transistor(TFT), p-Type, thin film(TF)