상세정보
학술대회
High-Performance p-type Thin Film Transistor Using Room Temperature Deposited Se-Te Alloying Channel Layer
Cited - time in 
Download 2 time
Share 
Download 2 time
Share
- 발행일
- 202403
- 출처
- International Thin-Film Transistor Conference (ITC) 2024, pp.1-1
- 협약과제
- 23IC2300, M3D 산화물반도체 기반 초저소비전력 고대역 대용량 DRAM 개발, 조성행
- KSP 제안 키워드
- Channel layer, High performance, Room-temperature, Thin-Film Transistor(TFT), p-Type, thin film(TF)