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학술지 Effects of parasitic gate capacitance and gate resistance on radiofrequency performance in LG = 0.15 μm GaN highelectron-mobility transistors for X-band applications
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저자
장성재, 정현석, 정현욱, 최수민, 최일규, 노윤섭, 김성일, 이상흥, 안호균, 강동민, 김대현, 임종원
발행일
202404
출처
ETRI Journal, v.권호미정, pp.1-13
ISSN
1225-6463
출판사
한국전자통신연구원
DOI
https://dx.doi.org/10.4218/etrij.2023-0250
협약과제
23JH1500, 질화갈륨 반도체를 사용한 위성통신용 내방사선 송수신 MMIC 국산화 기술 개발, 장성재
KSP 제안 키워드
AND gate, Gate capacitance, Gate resistance, X-band applications
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