상세정보
학술지
Effects of parasitic gate capacitance and gate resistance on radiofrequency performance in LG = 0.15 μm GaN highelectron-mobility transistors for X-band applications
- 발행일
- 202404
- 출처
- ETRI Journal, v.권호미정, pp.1-13
- ISSN
- 1225-6463
- 출판사
- 한국전자통신연구원
- 협약과제
- 23JH1500, 질화갈륨 반도체를 사용한 위성통신용 내방사선 송수신 MMIC 국산화 기술 개발, 장성재
- KSP 제안 키워드
- AND gate, Gate capacitance, Gate resistance, X-band applications
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