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학술대회 Highly efficient vertical outgassing channel technique for direct wafer bonding and III-V membrane regrowth
Cited - time in scopus Download 1 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
박홍휘, 김호성, 이동훈, 한원석
발행일
202401
출처
한국반도체 학술대회 (KCS) 2024, pp.1-3
협약과제
23ZB1100, ICT 창의기술 개발, 이일민
KSP 제안 키워드
Direct wafer bonding, III-V, highly efficient