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1 dB 이득평탄도를 갖는 8.5～11.1 GHz GaN 저잡음증폭기 MMIC
- Issue Date
- 2026-07
- Citation
- 한국전자파학회 논문지, v.37, no.7, pp.703-710
- ISSN
- 1226-3133
- Publisher
- 한국전자파학회
- Language
- Korean
- Type
- Journal Article
- Abstract
- 본 논문에서는 한국전자통신연구원의 0.2 μm GaN(gallium nitride) 공정 기술을 이용하여 1 dB 이득평탄도를 갖는 8.5-11.1 GHz 저잡음증폭기 MMIC(monolithic microwave integrated circuit)를 설계 및 제작하였다. 3단 캐스케이드 구조로 설계된 GaN 저잡음증폭기 MMIC의 첫째 단은 인덕터가 있는 소스-축퇴(source-degeneration)를 사용하여 잡음지수 및 대역폭을 최적화하고, 둘째 단과 셋째 단은 이득 확보 및 이득평탄도 개선을 위한 설계를 하였다. 1 dB 이득평탄도는 둘째 단과 셋째 단간 및 출력단 정합회로에 각각 단락 커패시터를 사용하여 8.5～11.1 GHz 대역에서 25～26 dB 이득으로 실현되었고 잡음지수는 1.86～2.01 dB 성능을 갖는다.
- Keyword
- X-Band GaN Low-Noise Amplifier MMIC; X-Band GaN LNA MMIC; 1 dB Gain-Flatness
- KSP Keywords
- Gallium Nitride, Integrated circuit(IC), Low-noise amplifier(LNA), Microwave Integrated Circuits(MICs), Microwave monolithic integrated circuits(MMIC), Source degeneration, X-Band
This work is distributed under the term of Creative Commons License (CCL)
(CC BY NC)
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