We report an enhancement in light emission and electrical efficiencies of a Si nanocrystal (NC) light-emitting diode (LED) by employing indium tin oxide (ITO) nanowires (NWs). The formed ITO NWs (diameter < 50 nm) are compactly knitted and have a tendency to grow perpendicularly above the surface. The electrical characteristics of Si NC LED were significantly improved, which was attributed to an enhancement in the current spreading property due to densely interconnecting ITO NWs. In addition, light output power and wall-plug efficiency from the Si NC LED were enhanced by 45% and 38%, respectively. This was originated from an enhancement in the escape probability of the photons generated in the Si NCs due to multiple scatterings at the surface of ITO NWs acting as a light waveguide. We show here that the use of the ITO NWs can be very useful for realizing a highly efficient Si NC LED.
KSP 제안 키워드
Escape probability, Light Emission, Light output power(Lop), Si nanocrystal, Silicon nanocrystals(Si NCs), Wall-plug efficiency, current spreading, electrical characteristics, highly efficient, indium tin oxide(ITO), tin oxide nanowires
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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