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학술지 E-대역 상/하향 주파수 변환기용 소형 MMIC 단일 평형 다이오드 혼합기
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저자
정진철, 염인복
발행일
201105
출처
한국전자파학회논문지, v.22 no.5, pp.538-544
ISSN
1226-3133
출판사
한국전자파학회 (KIEES)
DOI
https://dx.doi.org/10.5515/KJKIEES.2011.22.5.538
협약과제
10MR1900, 스펙트럼 공학 및 밀리미터파대 전파자원 이용기술개발, 김창주
초록
본 논문에서는 0.1 μm GaAs p-HEMT 상용 공정을 이용한 E-대역 상/하향 주파수 변환기용 소형 MMIC 단일 평형 다이오드 혼합기를 개발하였다. 본 혼합기에는 LO 발룬을 포함하며 우수한 RF 특성의 Marchand 발룬을 사용하였다. RF 포트와 IF 포트에서는 고역 통과 필터와 저역 통과 필터를 각각 사용하여 포트별 격리도를 향상시켰다. 0.58 mm2(0.85 mm×0.68 mm) 칩 크기의 매우 소형으로 제작된 단일 평형 다이오드 혼합기의 측정 결과, 71~86 GHz 주파수 범위에서 10 dBm LO 입력에 대해 삽입 손실이 8~12 dB이고, 입력 P1dB가 1~5 dBm의 결과를 보였다.
KSP 제안 키워드
6 GHz, pseudomorphic high electron mobility transistor(pHEMT)