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Conference Paper
ITO 성장온도에 따른 Cu(In,Ga)Se2 박막 태양전지의 특성 분석
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- Issue Date
- 2011-02
- Citation
- 한국진공학회 학술 대회 (동계) 2011, pp.467-467
- Publisher
- 한국진공학회
- Language
- Korean
- Type
- Conference Paper
- Abstract
- 본 논문에서는 Indium tin oxide (ITO) 투명전극의 성장온도(
$T_G$ )가 Cu(In,Ga)$Se_2$ (CIGS) 박막태양전지에 미치는 영향을 살펴 보았다. ITO 박막은 radio-frequency magnetron sputtering을 이용하여 상온에서$350^{\circ}C$ 까지의 다양한$T_G$ 조건에서 i-ZnO/ glass와 i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/glass 기판에 증착되었다. ITO의 비저항과 CdS/CIGS 계면 특성은$T_G$ 에 크게 영향을 받았다.$T_G{\leq}200^{\circ}C$ 에서는$T_G$ 가 증가할수록 ITO 저항이 감소하였고 이에 따른 series 저항 감소가 태양전지 성능 향상에 기여하였다. 하지만$T_G$ >$200^{\circ}C$ 에서는 CdS 버퍼층의 Cd이 CIGS 층으로 확산되어 소자의 p-n 계면이 파괴되는 것을 발견하였다.$T_G=200^{\circ}C$ 에서 ITO를 증착한 CIGS 태양전지의 경우 가장 높은 광전변환효율을 보였다.
- KSP Keywords
- Indium Tin Oxide(ITO), Petri net(PN), Radio-frequency, i-ZnO