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2.5D 집적을 위한 인터포저 기술 개발 동향
- Issue Date
- 2012-02
- Citation
- 전자통신동향분석, v.27, no.1, pp.51-60
- ISSN
- 1225-6455
- Publisher
- 한국전자통신연구원 (ETRI)
- Language
- Korean
- Type
- Journal Article
- Abstract
- 실리콘 관통 홀(TSV) 기술은 2006년 삼성전자가 낸드 플래시 메모리에 적용하여 적층된 시제품을 선보인 이후 선풍적인 기술적 관심을 불러일으키고 있다. 그러나, 안타깝게도 CMOS 이미지 센서 모듈 외에는 실제로 양산에 적용되고 있는 사례가 매우 드물다. 이는 기술적으로, 그리고 상업적으로도 극복해야 하는 어려움이 많기 때문이다. 최근 Xilinx사는 28nm FPGA를 네 개의 작은 칩으로 분리하여 TSV가 있는 실리콘 인터포저 위에 2차원적으로 집적한 제품을 고객사들에게 선적하기 시작했다. 이와 같은 2.5D 집적 기술은 3D IC 집적 기술의 상용화를 위한 중간 단계로 여겨질 뿐만 아니라 그 자체로 독립적인 시장을 형성할 기술로도 판단되고 있다. 본고에서는 2.5D 집적을 위한 인터포저 기술개발 및 표준화 동향에 대해 소개하고자 한다.
- KSP Keywords
- 3D-IC