We report the simultaneous improvements of the threshold voltage (Vth) stabilities under the prolonged positive gate bias stress (PBS) and negative gate bias under illumination stress (NBIS) by employing the gate dielectric/channel interface engineering in the bottom-gate, DC-sputtered amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) thin-film transistors (TFT). In the interfacial region, a-IGZO is grown under the low oxygen partial pressure (PO2) condition to minimize the damage from highly energetic oxygen anion bombardment into the substrate during sputtering. Meanwhile, high PO2 is employed during the bulk growth of active film to reduce the oxygen vacancy (VO) related defects in a-IGZO, which is known to be a main cause for the degradation of the electrical properties of TFT under NBIS. Owing to the lower damage of the gate dielectric by interface engineering during sputter deposition, the charge trapping or injection probability into the gate dielectric is diminished. Consequently, Vth instabilities due to both the electron trapping under PBS and the trapping of positively charged species under NBIS are alleviated simultaneously.
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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