주제어 : Nanoscale regime
구분 | 연도 | 논문 | 피인용 | 원문 |
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학술지 | 2006 | N2-Annealing Effects on Characteristics of Schottky-Barrier MOSFETS 장문규 IEEE Transactions on Electron Devices, v.53 no.8, pp.1821-1825 | 28 | 원문 |
구분 | 출원 | 특허 | 출원국 | 패밀리 | KIPRIS |
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구분 | 연도 | 보고서 | 책임자 | 원문 |
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