특허 상세정보

등록 반도체 소자 및 이의 제조방법

반도체 소자 및 이의 제조방법
발명자
임종원, 안호균, 장우진, 김해천, 강동민, 남은수
출원번호
13274367 (2011.10.17)
공개번호
20120146107 (2012.06.14)
등록번호
8609474 (2013.12.17)
출원국
미국
협약과제
10ZB1100, 융.복합부품 핵심기술 연구, 남은수
초록
Disclosed are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. In the semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present disclosure, at the time of forming a source electrode, a drain electrode, a field plate electrode, and a gate electrode on a substrate having a heterojunction structure such as AlGaN/GaN, the field plate electrode made of the same metal as the gate electrode is formed on the side surface of a second support part positioned below a head part of the gate electrode so as to prevent the gate electrode from collapsing and improve high-frequency and high-voltage characteristic of the semiconductor device.
패밀리
 
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구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 반도체 소자 및 이의 제조방법 대한민국 KIPRIS