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등록 반도체 소자 및 이의 제조방법

반도체 소자 및 이의 제조방법
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발명자
임종원, 안호균, 장우진, 김해천, 강동민, 남은수
출원번호
10-2010-0127661 (2010.12.14) KIPRIS
공개번호
10-2012-0066362 (2012.06.22)
등록번호
10-1583094-0000 (2015.12.30)
출원국
대한민국
협약과제
10ZB1100, 융.복합부품 핵심기술 연구, 남은수
초록
본 발명은 반도체 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 소자는 AlGaN/GaN 이종접합 구조를 가지는 기판 위에 소스 전극, 드레인 전극, 필드 플레이트 전극 및 게이트 전극을 형성하는데 있어서, 상기 게이트 전극의 머리부 하단에 위치한 제2지지부 측면에 게이트 전극과 동일한 금속으로 이루어진 필드 플레이트 전극을 형성함으로써, 게이트 전극의 무너짐을 방지하고 반도체 소자의 고주파 및 고전압 특성을 향상시킨다.
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