상세정보
등록 반도체 소자 및 이의 제조방법
- 출원번호
- 10-2010-0127661 (2010.12.14) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2012-0066362 (2012.06.22)
- 등록번호
- 10-1583094-0000 (2015.12.30)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 10ZB1100, 융.복합부품 핵심기술 연구, 남은수
- 초록
- 본 발명은 반도체 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 소자는 AlGaN/GaN 이종접합 구조를 가지는 기판 위에 소스 전극, 드레인 전극, 필드 플레이트 전극 및 게이트 전극을 형성하는데 있어서, 상기 게이트 전극의 머리부 하단에 위치한 제2지지부 측면에 게이트 전극과 동일한 금속으로 이루어진 필드 플레이트 전극을 형성함으로써, 게이트 전극의 무너짐을 방지하고 반도체 소자의 고주파 및 고전압 특성을 향상시킨다.
- KSP 제안 키워드
- semiconductor device
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 반도체 소자 및 이의 제조방법 | 미국 |