발명자

민병규, 문재경, 임종원, 윤형섭, 안호균, 고상춘, 남은수

출원번호

14021269 (2013.09.09)

공개번호

20140103539 (2014.04.17)

등록번호

9159612 (2015.10.13)

출원국

미국

협약과제

12VB1500, 차세대 데이터센터용 에너지절감 반도체 기술, 남은수

초록

A semiconductor device may include a substrate having a lower via-hole, an epitaxial layer having an opening exposing a top surface of the substrate, a semiconductor chip disposed on the top surface of the substrate and including first, second, and third electrodes, an upper metal layer connected to the first electrode, a supporting substrate disposed on the upper metal layer and having an upper via-hole, an upper pad disposed on the substrate and extending into the upper via-hole, a lower pad connected to the second electrode in the opening, and a lower metal layer covering a bottom surface of the substrate and connected to the lower pad through the lower via-hole.

KSP 제안 키워드

Bottom surface, Epitaxial layer, Semiconductor chip, Via-hole, metal layer, semiconductor device

패밀리

 

패밀리 특허 목록

구분	특허	출원국	KIPRIS
등록	반도체 장치 및 그 제조방법	대한민국	KIPRIS
등록	후면 비아홀이 있는 반도체 장치 및 그 제작 방법	미국