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등록 후면 비아홀이 있는 반도체 장치 및 그 제작 방법

후면 비아홀이 있는 반도체 장치 및 그 제작 방법
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발명자
민병규, 문재경, 임종원, 윤형섭, 안호균, 고상춘, 남은수
출원번호
14845435 (2015.09.04)
공개번호
20150380354 (2015.12.31)
등록번호
9490214 (2016.11.08)
출원국
미국
협약과제
12VB1500, 차세대 데이터센터용 에너지절감 반도체 기술, 남은수
초록
A semiconductor device may include a substrate having a lower via-hole, an epitaxial layer having an opening exposing a top surface of the substrate, a semiconductor chip disposed on the top surface of the substrate and including first, second, and third electrodes, an upper metal layer connected to the first electrode, a supporting substrate disposed on the upper metal layer and having an upper via-hole, an upper pad disposed on the substrate and extending into the upper via-hole, a lower pad connected to the second electrode in the opening, and a lower metal layer covering a bottom surface of the substrate and connected to the lower pad through the lower via-hole.
KSP 제안 키워드
Bottom surface, Epitaxial layer, Semiconductor chip, Via-hole, metal layer, semiconductor device
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 반도체 장치 및 그 제조방법 대한민국 KIPRIS
등록 반도체 장치 및 그 제조방법 미국