Patent

Registered 반도체 분리/전사 기술을 활용한 수직형 PiN Diode 소자 구조 및 제조방법

Inventors
Application No.
2025-0191624 (2025.12.05)
Registration No.
3024065 (2026.11.05)
Country
KOREA
Project Code
25PH1600, Development of GaN membrane material based on remote-epitaxy and advanced power semiconductor technology(SWaP-C), Bae Sung-Bum
25IV1200, UNI-CORE, Shin Jung Hyuk
25PH1300, Development of implementation technology for core devices based on Si-GaN hybrid semiconductor, Hyung Seok Lee
KSP Keywords
Device structure, Fabrication method, PIN Diode, vertical pin
Family
 
패밀리 특허 목록
Status Patent Country KIPRIS
Registered 반도체 분리/전사 기술을 활용한 수직형 PiN Diode 소자 구조 및 제조방법 KOREA
Registered 반도체 분리/전사 기술을 활용한 수직형 PiN Diode 소자 구조 및 제조방법 KOREA