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등록 다중 게이트 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법

다중 게이트 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법
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발명자
이대우, 권성구, 양일석, 노태문, 박일용, 유병곤, 김종대
출원번호
11012695 (2004.12.16)
공개번호
20050224880 (2005.10.13)
등록번호
7335945 (2008.02.26)
출원국
미국
협약과제
02MB5900, 모바일 디스플레이용 SOD 핵심기술 개발, 이진호
초록
Provided are a multi-gate MOS transistor and a method of manufacturing the same. Two silicon fins are vertically stacked on a silicon on insulator (SOI) substrate, and four side surfaces of an upper silicon fin and three side surfaces of a lower silicon fin are used as a channel. Therefore, a channel width is increased, so that current driving capability of a device is improved, and high performance nano-level semiconductor IC and highly integrated memory IC can be manufactured through the optimization and stability of a process.
KSP 제안 키워드
Channel Width, High performance, MOS transistor, Silicon On Insulator(SOI), driving capability