상세정보
등록 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법
- 출원번호
- 10-2004-0103695 (2004.12.09) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2006-0064992 (2006.06.14)
- 등록번호
- 10-0668408-0000 (2007.01.08)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 04ZF1100, 플라스틱 트랜지스터 소자/소재 기술, 정태형
- 초록
- 본 발명은 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 게이트 전극, 유전층, 소오스/드레인 전극 및 유기 반도체가 포함된 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 형성하는 단계와, 상기 소오스/드레인 전극 및 상기 유기 반도체의 전체 상부면에 소정의 접착제가 형성된 접합층을 부착시킨 후 상기 기판에서 상기 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 분리시키는 단계와, 분리된 상기 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 미리 마련된 플라스틱 기판 상에 전사시키는 단계를 포함함으로써, 온도에 영향을 받지 않고 증착할 수 있으므로 유전층의 종류에 제약을 받지 않을 뿐만 아니라 전사시키는 방법 중에서도 그 공정 자체가 매우 간단하며, 전사방법 자체가 외부 공기나 수분으로부터 유기물을 보호하는 보호층 역할까지 하여 그 특성을 오래 유지시킬 수 있는 효과가 있다. 유기 전계효과 트랜지스터(OFET), 전사효과, 소오스 전극, 드레인 전극, 유전층, 기판, 테이프