상세정보
등록 리세스된 소스/드레인구조를 갖는 SOIMOSFET 및 그 제조 방법
- 출원번호
- 10-2004-0108155 (2004.12.17) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2006-0069064 (2006.06.21)
- 등록번호
- 10-0639971-0000 (2006.10.24)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 04MB1400, 실리콘 미래 신소자 원천 기술개발, 이성재
- 초록
- 본 발명의 초박막의 에스오아이 모스 트랜지스터(SOI MOSFET)는, 반도체기판과, 반도체기판 위에서 중앙부를 제외한 나머지 부분이 리세스된 매몰절연막과, 리세스된 매몰절연막 위에 배치되는 초박막의 단결정실리콘막패턴과, 초박막의 단결정실리콘막패턴 위에서 게이트절연막패턴 및 게이트도전막패턴이 순차적으로 적층되어 구성되는 게이트스택과, 게이트스택 측벽에 배치되는 게이트스페이서막과, 그리고 리세스된 매몰절연막 위에 배치되어 초박막의 단결정실리콘막의 하부면 중에서 리세스된 매몰절연막의 중앙부와 중첩되지 않는 하부면과 중첩되는 리세스된 소스/드레인영역을 구비한다.
- KSP 제안 키워드
- SOI MOSFET