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등록 저온 경화형 고분자 게이트 절연막 및 이를 적용한 유기 박막 트랜지스터

저온 경화형 고분자 게이트 절연막 및 이를 적용한 유기 박막 트랜지스터
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발명자
김기현, 윤성민, 강승열, 안성덕, 서경수, 백규하, 유인규
출원번호
11354711 (2006.02.15)
공개번호
20070085071 (2007.04.19)
등록번호
7586119 (2009.09.08)
출원국
미국
협약과제
05MB3300, Flexible 디스플레이 (차세대 디스플레이 기술 개발), 강광용
초록
Provided are a low temperature-cured polymer gate insulation layer and an organic thin film transistor having the same. The gate insulation layer includes an acrylate-based compound, an anhydride-based compound, and an epoxy-based compound each by 0.1 weight % or more.