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상세정보

등록 반도체 소자 및 그 제조 방법

반도체 소자 및 그 제조 방법
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발명자
최철종, 이희덕, 김용진
출원번호
11345265 (2006.01.31)
공개번호
20070102706 (2007.05.10)
등록번호
7605068 (2009.10.20)
출원국
미국
협약과제
05MF1400, 정보통신용 고기능 반도체 나노 신소자 기술, 이성재
초록
Provided is a semiconductor device and a manufacturing method thereof. The method includes the steps of: forming a thin film transistor including a substrate having a semiconductor layer and silicon, a gate insulation layer formed on the semiconductor layer, a gate electrode formed on the gate insulation layer, and source and drain regions formed in the semiconductor layer; forming a first metal layer on the substrate having the semiconductor layer and the gate electrode; forming a second metal layer on the first metal layer; forming a third metal layer on the second metal layer; forming a nitride layer on the third metal layer; and annealing the substrate having the nitride layer, and forming a silicide layer on the gate electrode and the source and drain regions.