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Registered 광흡수층을 중심으로 경사형 굴절율 분포를 갖는 도파로형 p-i-n 포토다이오드

광흡수층을 중심으로 경사형 굴절율 분포를 갖는 도파로형 p-i-n 포토다이오드
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Inventors
박상기, 심은덕, 백용순, 박정우, 심재식
Application No.
10-2005-0121242 (2005.12.10)
Registration No.
10-0670827-0000 (2007.01.11)
Country
KOREA
Project Code
05MB3600, Photonic device integrated module for optical access network, Oh Kwang Ryong
Abstract
본 발명의 도파로형 p-i-n 포토다이오드는 기판 상에 형성된 하부 광가이드층과, 상기 하부 광가이드층 상에 형성된 광흡수층과, 상기 광흡수층 상에 형성된 상부 광가이드층과, 상기 상부 광가이드층 상에 형성된 클래드층을 포함하여 이루어진다. 상기 하부 광가이드층, 광흡수층 및 상부 광가이드층은 광도파로인 코아층을 구성하고, 상기 기판의 표면에서 깊이 방향으로 상기 굴절율이 제일 높은 광흡수층을 중심으로 대칭의 경사형 굴절율 분포를 갖는다.
KSP Keywords
P-i-n