Registered
광흡수층을 중심으로 경사형 굴절율 분포를 갖는 도파로형 p-i-n 포토다이오드
- Inventors
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박상기, 심은덕, 백용순, 박정우, 심재식
- Application No.
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10-2005-0121242 (2005.12.10)
- Registration No.
- 10-0670827-0000 (2007.01.11)
- Country
- KOREA
- Project Code
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05MB3600, Photonic device integrated module for optical access network,
Oh Kwang Ryong
- Abstract
- 본 발명의 도파로형 p-i-n 포토다이오드는 기판 상에 형성된 하부 광가이드층과, 상기 하부 광가이드층 상에 형성된 광흡수층과, 상기 광흡수층 상에 형성된 상부 광가이드층과, 상기 상부 광가이드층 상에 형성된 클래드층을 포함하여 이루어진다. 상기 하부 광가이드층, 광흡수층 및 상부 광가이드층은 광도파로인 코아층을 구성하고, 상기 기판의 표면에서 깊이 방향으로 상기 굴절율이 제일 높은 광흡수층을 중심으로 대칭의 경사형 굴절율 분포를 갖는다.
- KSP Keywords
- P-i-n