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Registered 양자점을 포함하는 반도체 레이저 구조물
- Application No.
- 10-2006-0084913 (2006.09.05) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2007-0058960 (2007.06.11)
- Registration No.
- 10-0766084-0000 (2007.10.04)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 05MB3800, Semiconductor Quantum Dot Laser Diode for Fibre Communication, Dae Kon Oh
- Abstract
- 본 발명은 분포 귀환형 반도체 레이저 구조물에 관한 것으로, 본 반도체 레이저 구조물은 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 상에 형성되는 제1 리지도파로; 상기 제1 리지도파로 상에 형성되는 활성층; 상기 활성층 상에 형성되는 제2 리지도파로; 상기 제2 리지도파로 상에 형성되는 제2 클래드층; 및 상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹콘택층을 포함하며, 상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층 중 적어도 어느 하나에 형성되며, 상기 제1 리지 도파로 또는 상기 제2 리지 도파로와 소정 각도를 이루면서 상기 제1 리지 도파로 또는 상기 제2 리지 도파로의 길이 방향을 따라 주기적으로 배치되는 복수의 그레이팅을 포함한다. 이에 따라, 대량생산이 가능한 일반적인 홀로그램 리소그래피 공정을 적용할 수 있어 공정시간을 단축할 수 있으며, 완전한 단일 파장을 얻기 위한 추가적인 공정이 필요 없는 양자점 활성층을 사용하는 분포귀환형 반도체 레이저 구조물을 제공할 수 있다.
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | SEMICONDUCTOR LASER STRUCTURE INCLUDING QUANTUM DOT | UNITED STATES |