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Registered 비대칭 디설파이드 정착기를 가지는 분자 전자소자용 화합물 및 그 제조 방

비대칭 디설파이드 정착기를 가지는 분자 전자소자용 화합물 및 그 제조 방
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Inventors
Hyoyoung Lee, Lee Junghyun, Seo Kyoung Ja, Bang Gyeong Sook
Application No.
10-2007-0100796 (2007.10.08)
Registration No.
10-0799593-0000 (2008.01.24)
Country
KOREA
Project Code
06SB1400, Development of smart molecular memory materials and devices, Hyoyoung Lee
Abstract
본 발명에 따른 분자 전자소자용 화합물은 다음 식으로 표시되는 비대칭 구조의 디설파이드 유도체로 이루어진다. Cy-(R1)-S-S-(R2) 식중, Cy는 고리화합물을 포함하는 전기활성 작용기이고, R1 및 R2는 각각 F로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C20의 포화 또는 불포화 탄화수소기이다. 본 발명에 따른 분자 전자소자용 화합물들은 디설파이드기 (-S-S-)를 중심으로 하여 그 양 단에 산화-환원 활성인 물질 또는 전하를 수송할 수 있는 고리화합물로 이루어지는 전기활성 작용기를 포함하는 기와, 전기활성 작용기를 포함하지 않는 탄화수소 기가 각각 결합되어 있는 비대칭 구조를 가진다. 본 발명에 따른 분자 전자소자용 화합물이 전극상에 자기조립되어 형성된 분자 활성층을 포함하는 분자 전자소자는 스위치 소자 또는 메모리 소자를 구성할 수 있다.
KSP Keywords
s-, subthreshold swing(SS)