상세정보
등록 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 및 그 제조방법
- 출원번호
- 10-2007-0093044 (2007.09.13) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2008-0052315 (2008.06.11)
- 등록번호
- 10-0921020-0000 (2009.10.01)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 06MB1600, 정보통신용 고기능 반도체 나노 신소자 기술, 이성재
- 초록
- 본 발명은 금속-반도체 접합을 통하여 형성되는 쇼트키장벽(schottky barrier)을 이용한 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터(Schottky Barrier Tunnel Transistor) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터는 실리콘기판의 채널영역 상부에 금속산화물로 형성된 게이트절연막; 상기 게이트절연막 상부에 금속물질로 형성된 게이트전극 및 상기 게이트전극 양측에 자기정렬되고(self-aligned), 상기 실리콘기판에 금속실리사이드로 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하고 있으며, 이를 통하여 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 동작특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
- KSP 제안 키워드
- Schottky barrier, Tunnel transistors, self-Aligned