상세정보
등록 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
- 출원번호
- 10-2006-0120565 (2006.12.01)
- 등록번호
- 10-0770013-0000 (2007.10.18)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 06MB1600, 정보통신용 고기능 반도체 나노 신소자 기술, 이성재
- 초록
- 본 발명은 게이트 전극의 양측벽에 형성된 스페이서의 손상으로 인해 발생되는 게이트 누설전류 특성을 원천적으로 방지할 수 있는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터(Schottky Barrier Tunnel Transistor) 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 지지기판에 의해 지지되는 매립 산화층 상에 실리콘 패턴과 희생 패턴을 형성하는 단계와, 상기 실리콘 패턴의 양측벽과 각각 접촉되도록 상기 실리콘 패턴의 양측으로 노출되는 상기 매립 산화층 상에 금속막으로 이루어진 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와, 상기 희생 패턴을 제거하여 상기 실리콘 패턴 상부를 노출시키는 단계와, 노출된 상기 실리콘 패턴 상에 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법을 제공한다.
- KSP 제안 키워드
- Schottky barrier, Tunnel transistors