상세정보
등록 쇼트키 장벽 박막 트랜지스터 제조방법
- 출원번호
- 10-2007-0096342 (2007.09.21) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2008-0052325 (2008.06.11)
- 등록번호
- 10-0883350-0000 (2009.02.05)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 06ZB1200, 정보통신미래신기술연구사업, 정태형
- 초록
- 본 발명은 소스 및 드레인 전극을 촉매로 하여 채널영역을 결정화시킬 수 있는 쇼트키 장벽 박막 트랜지스터(Schottky Barrier Thin Film Transistor) 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 쇼트키 장벽 박막 트랜지스터의 제조방법은 기판 상부에 비정질실리콘 활성층을 형성하는 단계; 상기 비정질실리콘 활성층의 채널영역과 쇼트키접합(schottky junction)을 형성하도록 소스 및 드레인 전극을 금속실리사이드로 형성하는 단계 및 상기 소스 및 드레인 전극을 촉매로 하여 상기 채널영역의 비정질실리콘을 폴리실리콘으로 결정화시키는 단계를 포함하고 있으며, 이를 통하여 공정과정을 단순화시킬 수 있으며, 공정비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
- KSP 제안 키워드
- Schottky barrier, Thin-Film Transistor(TFT), schottky junction, thin film(TF)