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Registered 나노로드 밀집도가 조절된 전도성 기판 구조체 및 그 전도성 기판 구조체 제조 방법
- Application No.
- 10-2007-0098886 (2007.10.01) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2009-0033712 (2009.04.06)
- Registration No.
- 10-0932903-0000 (2009.12.11)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 07MB2600, Components/Module technology for Ubiquitous Terminals, Kim Jongdae
- Abstract
- 본 발명은 전도성 기판과 활성층 광의 접촉을 확대시킬 수 있는 나노로드의 밀집도가 조절된 전도성 기판 구조체 및 그 전도성 기판 구조체 제조 방법을 제공한다. 그 전도성 기판 구조체는 베이스(base) 기판; 상기 베이스 기판 상에 형성되고 유기분자에 의해 표면이 처리된 전도성 기판; 및 상기 전도성 기판 상에 도포된 씨드(seed)로부터 성장시킨 나노로드;를 포함하고, 상기 유기분자의 자기 조립 특성에 의해 상기 씨드가 전도성 기판 상의 일정 영역에만 도포되어 상기 나노로드의 밀집도가 조절될 수 있다. 또한, 그 기판 구조체 제조방법은 베이스 기판 상에 형성된 전도성 기판을 유기분자 처리하는 단계; 상기 유기분자의 자기 조립 특성을 통해 씨드를 상기 전도성 기판 상의 일정 영역에만 도포하는 단계; 및 상기 씨드로부터 밀집도가 조절된 나노로드를 성장시키는 단계;를 포함한다.