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Detail
Registered 금속-절연체 전이(ＭＩＴ) 물질 기반의 메모리 셀 및 그 메모리 셀의 제조방법
- Inventors
- Kim Dae Yong, Hyun-Tak Kim
- Application No.
- 10-2007-0126876 (2007.12.07) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2009-0059823 (2009.06.11)
- Registration No.
- 10-0927602-0000 (2009.11.12)
- Country
- KOREA
- Abstract
- 본 발명은 소형화가 가능하며, 높은 전류 이득 특성을 가지는 스위칭 트랜지스터 소자 및 박막형 저항소자로 구성된 메모리 셀 및 그 메모리 셀의 제조방법을 제공한다. 또한, 열적으로 안정되고 고속 동작이 가능하며, 주변 회로 CMOS 공정과 쉽게 연계할 수 있는 메모리 셀 그 메모리 셀의 제조방법을 제공한다. 그 메모리 셀은 기판; 상기 기판 상에 형성된 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 물질을 기반으로 하는 3 단자 스위칭 소자; 및 상기 기판 상으로 형성되고 상기 스위칭 소자의 어느 한 단자에 전기적으로 연결된 MIT 물질을 기반으로 하는 저항 소자;를 포함한다.
- KSP Keywords
- metal-insulator, metal-insulator transition