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Registered 반도체 가스 센서 소자 및 그의 제조 방법
- Application No.
- 10-2007-0128848 (2007.12.12) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2009-0061865 (2009.06.17)
- Registration No.
- 10-0937593-0000 (2010.01.12)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 07MB2700, Ubiquitous Health Monitoring Module and System Development, Park Seon Hee
- Abstract
- 본 발명은 반도체 가스 센서 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 소이(SOI) 실리콘 기판의 단결정 실리콘을 불순물로 도핑하여 가스 센서의 히터로 이용하고 또한 단결정 실리콘을 센서 멤브레인으로 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 도핑된 단결정 실리콘을 히터 및 센서 멤브레인으로 활용하므로써 300℃ 이상의 고온 동작시 열에 의한 스트레스에 대한 내구성을 향상시킬 수 있는 효과가 있고, 또한 소이 기판을 채택하므로써 히터의 열이 하부 실리콘 벌크로 손실되는 것을 최대한 줄일 수 있는 효과가 있다. 반도체 가스 센서, 미세기전집적시스템(MEMS), 실리콘 마이크로 히터