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Registered 티형 게이트 전극을 구비한 반도체 소자 및 그의 제조 방법
- Inventors
- Jong-Won Lim, Hokyun Ahn, Yu Hyun Kyu, Woojin Chang, Hae Cheon Kim, Ji Hong Gu, Mun Jae Kyoung
- Application No.
- 10-2007-0125466 (2007.12.05) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2009-0058730 (2009.06.10)
- Registration No.
- 10-0922575-0000 (2009.10.13)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 07MB1100, SoP(System on Package) for 60 GHz Pico cell Communication, Yu Hyun Kyu
- Abstract
- 본 발명은 소스 저항, 기생 캐패시턴스 및 게이트 저항을 감소시켜 소자의 안정성 및 고주파 특성을 향상시킬 수 있는 티형 게이트 전극을 구비한 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것으로서, 상기 반도체 소자는, 기판 위에 소스 전극, 드레인 전극, 티형 게이트 전극을 형성하는데 있어서, 상기 티형 게이트 전극의 머리부 하단에 위치한 지지부의 측면에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 이루어지는 제1,2 보호막을 적층하여 형성하고, 또한, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 측면에 상기 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 이루어진 상기 제2 보호막을 형성함으로써, 소자의 활성 영역을 보호하고, 게이트-드레인, 게이트-소스 간의 기생 캐패시턴스를 감소시킨다.