BROWSE
Detail
Registered 진공 채널 트랜지스터 및 그 제조방법
- Application No.
- 10-2008-0021064 (2008.03.06) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2009-0056771 (2009.06.03)
- Registration No.
- 10-0934228-0000 (2009.12.18)
- Country
- KOREA
- Abstract
- 본 발명은 진공 채널 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 저일함수 물질로 이루어진 평면형 캐소드층 또는 저일함수 물질로 이루어진 방열층을 구비하는 평면형 캐소드층을 포함하는 진공 채널 트랜지스터와 상기의 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 진공 채널 트랜지스터는, 게이트층에 낮은 전압을 걸어주어도 전자를 방출할 수 있고, 애노드층의 전압이 캐소드층의 전자 방출에 미치는 영향이 적으며, 방출전류의 불안정성이 제거되어 동작의 안정성을 확보할 수 있다.