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Registered 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
- Application No.
- 10-2008-0034644 (2008.04.15) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2009-0109277 (2009.10.20)
- Registration No.
- 10-1008379-0000 (2011.01.07)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 07MD1600, Development of Advanced RFID System Technology, Choi Gil Young
- Abstract
- 본 발명은 박막 트랜지스터에 관한 것으로서, 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 다른 층에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 게이트 절연막, 그리고 상기 게이트 절연막을 통하여 상기 게이트 전극과 중첩하는 위치에 형성되는 반도체를 포함하고, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 동일한 용해성 물질을 포함한다. 이로 인해, 별도의 증착 공정이나 식각 공정 없이 대기 환경에서 행해지는 잉크젯 인쇄 방식을 이용하여 박막 트랜지스터의 모든 막을 형성하므로, 제조 시간과 제조 비용이 줄어들고, 동일한 조건하에 동일한 유기 물질을 이용하여 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 형성하므로, 제조 비용이나 제조 시간이 더욱이 줄어든다.