ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

특허 검색
구분 출원국
출원년도 ~ 키워드

상세정보

등록 네가티브 광전도 특성을 갖는 게르마늄 단결정 박막의 성장법 및 이를 이용한 광검출기

네가티브 광전도 특성을 갖는 게르마늄 단결정 박막의 성장법 및 이를 이용한 광검출기
이미지 확대
발명자
김상훈, 김경옥, 서동우, 주지호
출원번호
12536098 (2009.08.05)
공개번호
20100133585 (2010.06.03)
등록번호
8188512 (2012.05.29)
출원국
미국
협약과제
08MB1600, 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC, 김경옥
초록
A method of growing a germanium (Ge) epitaxial thin film having negative photoconductance characteristics and a photodiode using the same are provided. The method of growing the germanium (Ge) epitaxial thin film includes growing a germanium (Ge) thin film on a silicon substrate at a low temperature, raising the temperature to grow the germanium (Ge) thin film, and growing the germanium (Ge) thin film at a high temperature, wherein each stage of growth is performed using reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD). The three-stage growth method enables formation of a germanium (Ge) epitaxial thin film characterized by alleviated stress on a substrate, a lowered penetrating dislocation density, and reduced surface roughness.
KSP 제안 키워드
Chemical Vapor Deposition, Dislocation density, Epitaxial thin film, Growth method, High Temperature, Low temperature(LT), Reduced pressure, Reduced pressure chemical vapor deposition, Silicon substrate, Surface roughness, Three-stage, Three-stage growth, chemical vapor, thin film(TF), vapor deposition
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 네가티브 광전도 특성을 갖는 게르마늄 단결정 박막의 성장법 및 이를 이용한 광검출기 대한민국 KIPRIS