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Registered 공유 포토 다이오드 이미지 센서

공유 포토 다이오드 이미지 센서
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Inventors
Bongki Mheen, Albert J. P. T, Miran Park, Jae-Sik Sim, Eun Soo Nam, Kwon Yong-Hwan
Application No.
10-2009-0043174 (2009.05.18) KIPRIS
Publication No.
10-2010-0063632 (2010.06.11)
Registration No.
10-1211085-0000 (2012.12.05)
Country
KOREA
Abstract
본 발명에 다른 고유 포토 다이오드 이미지 센서는 포토 다이오드, 상기 포토 다이오드로부터의 전자를 집속하는 확산 영역, 상기 포토 다이오드와 상기 확산 영역을 연결하는 트랜스퍼 트랜지스터 및 상기 확산 영역으로부터 신호를 득출하는 득출 회로를 포함하는 적어도 2개 이상의 단위 화소를 포함하는 이미지 센서에 있어서, 이웃한 상기 단위 화소는 상기 포토 다이오드가 서로 이웃하도록 대칭적으로 배치되어 하나의 공유 포토 다이오드를 형성한다. 따라서, 공유 포토 다이오드 이미지 센서는 성능에 제한을 주는 암전류를 발생하는 소자분리막를 제거할 뿐만 아니라, 소자분리막과 관련된 기본적인 최소설계요구조건(간격, 면적)을 제거하여, 이러한 영역을 포토 다이오드로 사용할 수 있거나, 추가적인 화소 스케일링에 이용할 수 있도록 함으로써 포토 다이오드 자체의 스케일링 한계를 획기적으로 개선하고, 화소의 스케일링에도 픽셀 성능을 유지할 수 있도록 한다.
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Status Patent Country KIPRIS
Registered IMAGE SENSOR WITH SHARED PHOTODIODE UNITED STATES