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Detail
Registered 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
- Inventors
- Yoon Sung Min, Soon-Won Jung, Yang Shinhyuk, Kang Seung Youl, Cho Doo-Hee, Hwang Chi-Sun, Chunwon Byun, Cho Kyoung Ik, Byoung Gon Yu
- Application No.
- 10-2009-0026068 (2009.03.26) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2010-0107799 (2010.10.06)
- Registration No.
- 10-1201891-0000 (2012.11.09)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 08MB2100, Smart window with transparent electronic devices, Cho Kyoung Ik
- Abstract
- 본 발명은 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터에 대한 것으로, 이 소자는투명 기판 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 투명 기판 위에 형성되어 있는 투명 반도체 박막, 상기 투명 반도체 박막 위에 형성되어 있는 유기 강유전체 박막, 그리고 상기 유기 강유전체 박막 위에 상기 투명 반도체 박막과 정렬하여 형성되어있는 게이트 전극을 포함한다. 따라서, 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터는 유기물 강유전체 박막과 산화물 반도체 박막을 사용하고, 상기 유기물 강유전체 박막 하부 및 상에 보조 절연막을 형성함으로써, 저온 공정이 가능하고 저렴하게 제작이 가능한 투명 비휘발성 메모리 소자를 실현할 수 있다.
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | TRANSPARENT NONVOLATILE MEMORY THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | UNITED STATES | |
| Registered | TRANSPARENT NONVOLATILE MEMORY THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | UNITED STATES |