상세정보
등록 전계효과트랜지스터의 제조 방법
- 출원번호
- 12874102 (2010.09.01)
- 공개번호
- 20110057237 (2011.03.10)
- 등록번호
- 8518794 (2013.08.27)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
- 09MR6700, 테라헤르츠대역 전파 환경 및 무선 전송 플랫폼 기술 연구, 정태진
- 초록
- Provided is a semiconductor device. The semiconductor device includes: a substrate; an active layer on the substrate; a capping layer on the active layer; source/drain electrodes on the capping layer; a gate electrode on the active layer; and a first void region on a first sidewall of the gate electrode and a second void region on a second sidewall facing the first sidewall.
- KSP 제안 키워드
- Active Layer, Capping layer, Source/drain electrodes, gate electrode, semiconductor device