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상세정보

등록 D-mode HEMT 소자의 단일 DC 바이어스 공급회로

D-mode HEMT 소자의 단일 DC 바이어스 공급회로
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발명자
강동민, 김해천, 김동영, 지홍구, 안호균, 이상흥, 장우진, 임종원
출원번호
12855055 (2010.08.12)
공개번호
20110037521 (2011.02.17)
등록번호
8294521 (2012.10.23)
출원국
미국
협약과제
09ZB1400, 수요자 중심 융합부품 개발지원, 정희범
초록
Provided is a power amplifier including: a depletion mode high electron mobility transistor (D-mode HEMT) configured to amplify a signal inputted to a gate terminal and output the amplified signal through a drain terminal; an input matching circuit configured to serially ground the gate terminal; and a DC bias circuit connected between the drain terminal and a ground. Through the foregoing configuration, the HEMT may be biased only by a single DC bias circuit without any biasing means to provide a negative voltage. Also, superior matching characteristic may be provided in various operation frequency bands through a shunt inductor and a choke inductor.