상세정보
등록 산화물 반도체 박막 트랜지스터와 유기 강유전체 메모리 박막 트랜지스터로 구성된 투명 비휘발성 메모리 셀의 구조 및 그 제조 방법
- 출원번호
- 14022705 (2013.09.10)
- 공개번호
- 20140011297 (2014.01.09)
- 등록번호
- 8716035 (2014.05.06)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
- 09MB2900, 투명전자 소자를 이용한 스마트 창, 조경익
- 초록
- Provided are a nonvolatile memory cell and a method of manufacturing the same. The nonvolatile memory cell includes a memory transistor and a driver transistor. The memory transistor includes a semiconductor layer, a buffer layer, an organic ferroelectric layer, and a gate electrode, which are disposed on a substrate. The driver transistor includes the semiconductor layer, the buffer layer, a gate insulating layer, and the gate electrode, which are disposed on the substrate. The memory transistor and the driver transistor are disposed on the same substrate. The nonvolatile memory cell is transparent in a visible light region.
- KSP 제안 키워드
- Buffer layer, Manufacturing method, Non-Volatile Memory(NVM), Oxide semiconductor, Thin-Film Transistor(TFT), Visible Light, ferroelectric thin film, gate electrode, insulating layer, memory cell, non-volatile, organic ferroelectric, thin film(TF), volatile memory
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법 | 미국 |