상세정보
등록 저항형 메모리 장치 및 그 형성 방법
- 출원번호
- 10-2013-0103267 (2013.08.29) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2013-0102523 (2013.09.17)
- 등록번호
- 10-1405421-0000 (2014.06.02)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 08IB2300, 고신뢰성 charge complex 소재 탐색, 최성율
- 초록
- 본 발명은 저항형 메모리 장치를 제공한다. 이 저항형 메모리 장치는 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 저항변화막; 및 상기 저항변화막 상의 상부 전극을 포함하되, 상기 저항변화막은 상기 상부 전극과 반응하여 산화막을 형성할 수 있는 전도성 고분자막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 저항형 메모리 장치 및 그 형성 방법 | 미국 |