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Registered Resistive memory device and method of forming the same

저항형 메모리 장치 및 그 형성 방법
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Inventors
Sung-Yool Choi, Kim Jongyun, Hu Young Jeong
Application No.
10-2013-0103267 (2013.08.29) KIPRIS
Publication No.
10-2013-0102523 (2013.09.17)
Registration No.
10-1405421-0000 (2014.06.02)
Country
KOREA
Project Code
08IB2300, 고신뢰성 charge complex 소재 탐색, Sung-Yool Choi
Abstract
본 발명은 저항형 메모리 장치를 제공한다. 이 저항형 메모리 장치는 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 저항변화막; 및 상기 저항변화막 상의 상부 전극을 포함하되, 상기 저항변화막은 상기 상부 전극과 반응하여 산화막을 형성할 수 있는 전도성 고분자막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
KSP Keywords
Resistive memory, memory device
Family
 
패밀리 특허 목록
Status Patent Country KIPRIS
Registered RESISTIVE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME UNITED STATES