Registered
Resistive memory device and method of forming the same
- Inventors
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Sung-Yool Choi, Kim Jongyun, Hu Young Jeong
- Application No.
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10-2013-0103267 (2013.08.29)
KIPRIS
- Publication No.
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10-2013-0102523 (2013.09.17)
- Registration No.
- 10-1405421-0000 (2014.06.02)
- Country
- KOREA
- Project Code
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08IB2300, 고신뢰성 charge complex 소재 탐색,
Sung-Yool Choi
- Abstract
- 본 발명은 저항형 메모리 장치를 제공한다. 이 저항형 메모리 장치는 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 저항변화막; 및 상기 저항변화막 상의 상부 전극을 포함하되, 상기 저항변화막은 상기 상부 전극과 반응하여 산화막을 형성할 수 있는 전도성 고분자막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
- KSP Keywords
- Resistive memory, memory device
- Family
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