상세정보
등록 저항형 메모리 장치 및 그 형성 방법
- 출원번호
- 12835265 (2010.07.13)
- 공개번호
- 20110133152 (2011.06.09)
- 등록번호
- 8203140 (2012.06.19)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
- 08IB2300, 고신뢰성 charge complex 소재 탐색, 최성율
- 초록
- A resistive memory device is provided. The resistive memory device includes a bottom electrode, a resistance-variable layer, and a top electrode. The resistance-variable layer is disposed on the bottom electrode. The top electrode is disposed on the resistance-variable layer. The resistance-variable layer includes a conductive polymer layer that reacts with the top electrode to form an oxide layer.
- KSP 제안 키워드
- Bottom electrode, Oxide layer, Resistive memory, conductive polymer, memory device, polymer layer, top electrode
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 저항형 메모리 장치 및 그 형성 방법 | 대한민국 | KIPRIS |