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등록 저항형 메모리 장치 및 그 형성 방법

저항형 메모리 장치 및 그 형성 방법
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발명자
최성율, 김종윤, 정후영
출원번호
12835265 (2010.07.13)
공개번호
20110133152 (2011.06.09)
등록번호
8203140 (2012.06.19)
출원국
미국
협약과제
08IB2300, 고신뢰성 charge complex 소재 탐색, 최성율
초록
A resistive memory device is provided. The resistive memory device includes a bottom electrode, a resistance-variable layer, and a top electrode. The resistance-variable layer is disposed on the bottom electrode. The top electrode is disposed on the resistance-variable layer. The resistance-variable layer includes a conductive polymer layer that reacts with the top electrode to form an oxide layer.
KSP 제안 키워드
Bottom electrode, Oxide layer, Resistive memory, conductive polymer, memory device, polymer layer, top electrode
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등록 저항형 메모리 장치 및 그 형성 방법 대한민국 KIPRIS