상세정보
등록 다층 비휘발성 기억소자 및 그 제조방법
- 출원번호
- 13690286 (2012.11.30)
- 공개번호
- 20130089965 (2013.04.11)
- 등록번호
- 8980721 (2015.03.17)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
- 08IB2300, 고신뢰성 charge complex 소재 탐색, 최성율
- 초록
- Provided are resistive memory devices and methods of fabricating the same. The resistive memory devices and the methods are advantageous for high integration because they can provide a multilayer memory cell structure. Also, the parallel conductive lines of adjacent layers do not overlap each other in the vertical direction, thus reducing errors in program/erase operations.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 저항형 메모리 장치 및 그 제조 방법 | 대한민국 | KIPRIS |
| 등록 | 저항형 메모리 장치 및 그 제조 방법 | 미국 |