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등록 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법

유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법
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발명자
김강대, 유인규, 구재본, 강승열, 양용석
출원번호
12858868 (2010.08.18)
공개번호
20110204334 (2011.08.25)
등록번호
8344366 (2013.01.01)
출원국
미국
협약과제
09IC1900, 개별물품 단위 응용을 위한 차세대 RFID 기술 개발, 채종석
초록
Provided are an organic thin film transistor and a method of forming the same. The method comprises forming a gate electrode on a substrate, forming a gate dielectric, which covers the gate electrode and includes a recess region at an upper portion, on the substrate, forming a source electrode and a drain electrode in the recess region, and forming an organic semiconductor layer between the source electrode and the drain electrode in the recess region.