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상세정보

등록 유기 메모리 소자 및 제조 방법

유기 메모리 소자 및 제조 방법
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발명자
양용석, 유인규, 노용영, 구재본, 김강대, 정순원
출원번호
12915495 (2010.10.29)
공개번호
20110272661 (2011.11.10)
등록번호
8278138 (2012.10.02)
출원국
미국
초록
Provided are a resistive memory device and a method of fabricating the same. The resistive memory device comprises an electron channel layer formed by means of a swelling process and an annealing process. Thus, conductive nanoparticles are uniformly dispersed in the electron channel layer to improve reliability of the resistive memory device. According to the method, an electron channel layer is formed by means of a printing process, a swelling process, and an annealing process. Thus, fabrication time is reduced.