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등록 반도체 소자 및 그 제조 방법

반도체 소자 및 그 제조 방법
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발명자
박상희, 황치선, Elvira Fortuna, Rodrigo Martin, 변춘원, Nuno Correia, Raquel Barros, Vitor M.L FIGUEIREDO, Pedro Barquinh
출원번호
10-2010-0104744 (2010.10.26) KIPRIS
공개번호
10-2012-0138254 (2012.12.26)
등록번호
10-1420289-0000 (2014.07.10)
출원국
대한민국
협약과제
09MB2900, 투명전자 소자를 이용한 스마트 창, 조경익
초록
본 발명은 P형 산화물 반도체막이 적용된 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 소자에 있어서, 구리 금속이 함유된 일산화구리산화물; 주석 금속이 함유된 일산화주석산화물; 구리 및 주석 합금이 함유된 구리주석산화물; 및 니켈 주석 합금이 함유된 니켈주석산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 P형 산화막을 기반으로 하는 P형 산화막을 포함한다. 본 발명에 따르면, P형 산화막을 이용하여 투명 또는 불투명 소자들을 용이하게 개발할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 저온 공정이 가능한 산화막을 반도체 소자에 적용하므로, 제조 공정이 간단하고, 제조 단가가 낮다는 장점이 있다.
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