상세정보
등록 반도체 소자 및 그 제조 방법
- 발명자
- 박상희, 황치선, Elvira Fortuna, Rodrigo Martin, 변춘원, Nuno Correia, Raquel Barros, Vitor M.L FIGUEIREDO, Pedro Barquinh
- 출원번호
- 10-2010-0104744 (2010.10.26) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2012-0138254 (2012.12.26)
- 등록번호
- 10-1420289-0000 (2014.07.10)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 09MB2900, 투명전자 소자를 이용한 스마트 창, 조경익
- 초록
- 본 발명은 P형 산화물 반도체막이 적용된 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 소자에 있어서, 구리 금속이 함유된 일산화구리산화물; 주석 금속이 함유된 일산화주석산화물; 구리 및 주석 합금이 함유된 구리주석산화물; 및 니켈 주석 합금이 함유된 니켈주석산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 P형 산화막을 기반으로 하는 P형 산화막을 포함한다. 본 발명에 따르면, P형 산화막을 이용하여 투명 또는 불투명 소자들을 용이하게 개발할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 저온 공정이 가능한 산화막을 반도체 소자에 적용하므로, 제조 공정이 간단하고, 제조 단가가 낮다는 장점이 있다.
- KSP 제안 키워드
- semiconductor device
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | 미국 |