본 발명은 P형 산화물 반도체막이 적용된 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 소자에 있어서, 구리 금속이 함유된 일산화구리산화물; 주석 금속이 함유된 일산화주석산화물; 구리 및 주석 합금이 함유된 구리주석산화물; 및 니켈 주석 합금이 함유된 니켈주석산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 P형 산화막을 기반으로 하는 P형 산화막을 포함한다. 본 발명에 따르면, P형 산화막을 이용하여 투명 또는 불투명 소자들을 용이하게 개발할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 저온 공정이 가능한 산화막을 반도체 소자에 적용하므로, 제조 공정이 간단하고, 제조 단가가 낮다는 장점이 있다.
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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